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化学机械抛光液


化学机械抛光是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺,化学机械抛光液是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。公司化学机械抛光液已在130-14nm技术节点实现规模化销售,主要应用于国内8英寸和12英寸主流晶圆产线;10-7nm技术节点产品正在研发中。根据抛光对象不同,公司化学机械抛光液包括铜及铜阻挡层系列、钨抛光液、硅抛光液、氧化物抛光液等产品。

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产品中心_03.jpg  铜化学机械抛光液


用于集成电路铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。具有高的铜去除速率,碟型凹陷可调,低缺陷等特性。产品已在逻辑芯片130-14nm技术节点以及3D NAND和DRAM芯片上量产使用。


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产品中心_03.jpg 阻挡层化学机械抛光液


用于集成电路铜互连工艺制程中阻挡层的去除和平坦化。产品具有优异的抗铜腐蚀的能力,可调的介电材料包括低介电材料和超低介电材料去除速率的能力, 抛光后晶圆表面平坦,缺陷少。产品已在逻辑芯片130-14nm技术节点以及3D NAND和DRAM芯片上量产使用。



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产品中心_03.jpg 钨化学机械抛光液


用于集成电路制造工艺中钨塞和钨通孔的平坦化。已经研发并成功量产多种钨化学机械抛光液,包括高选择比的钨本体抛光液、低选择比的钨本体抛光液和钨修复抛光液。具有可调的钨去除速率及钨对介电材料的选择比。产品在逻辑芯片、3D NAND和DRAM芯片上量产使用。



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产品中心_03.jpg 介质层化学机械抛光液


用于集成电路制造工艺中层间电介质(inter-layer dielectric, ILD)和金属间电介质(inter-metal dielectric, IMD)的去除和平坦化。产品包括碱性和酸性介质层抛光液。具有高去除速率,高平坦化效率、低缺陷和低成本的优点。


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产品中心_03.jpg 硅化学机械抛光液


用于单晶硅/多晶硅的抛光,可用于硅片回收、存储器工艺和背照式传感器(BSI)工艺等。产品包括三大系列。其中高选择比硅粗抛系列产品具有高稀释比,高硅去除速率,高硅对氧化物/氮化物的选择比。硅精抛液系列具有低缺陷的优点。BSI抛光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和选择比。


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产品中心_03.jpg 浅槽隔离化学机械抛光液


用于集成电路制造工艺中浅槽隔离的抛光。采用氧化铈研磨颗粒,具有高选择比,高平坦化效率,低缺陷率等优点。


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产品中心_03.jpg 用于3D封装TSV化学机械抛光液


用于TSV工艺的高去除速率的化学机械抛光液系列。安集已成功量产多款用于TSV工艺的抛光液,产品平台涵盖TSV铜/阻挡层抛光液,TSV晶背铜/介质层抛光液、TSV晶背硅抛光液、TSV晶背硅/铜抛光液等。产品具有高去除速率、选择比可调等优点。



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产品中心_03.jpg 铜制程化学机械抛光后的清洗


有效去除铜抛光后表面研磨颗粒和化学物残留,防止铜表面腐蚀,降低表面缺陷。产品可适用于130-28nm的铜制程抛光后清洗。



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